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Finite Element Numerical Simulation of Temperature Field in Metal Pattern Casting System and “Reverse Method”of Defining the Thermal Physical

L. Chen , P.L. Wang , P.N. Song , J.Y. Zhang , null , null , null , null , null , null , null , null , null , null , null , null , null

金属学报(英文版)

With the technology support of virtual reality and ANSYS software, an example on the simulation of temperature distribution of casting system during the solidification process was provided, which took the latent heat of phase change, the conditions for convection, and the interface heat transfer coefficient into consideration. The result of ANSYS was found to agree well with the test data. This research offers an unorthodox way or“Reverse Method” of defining the relevant thermal physical coefficient.

关键词: solidification process , null , null

p+-n--n结的势垒分布

赵普琴 , 杨锡震 , 李桂英 , 王亚非

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2001.01.010

GaP∶N绿色LED发光效率的提高有赖于对其结构参数的优化。根据载流子分布的连续性，由泊松方程自洽求解，得出了半导体n--n结势垒分布的计算方法。在此基础上，计入n-区内的电位降，计算了商用发光二极管p+-n--n结构的势垒分布，为整体结构的参数优化准备了必要的条件。

关键词: 磷化镓 , 发光二极管 , 势垒

1N-4148P-N结低温温度计的定标

王艳文 , 胡艳春

低温物理学报

本文对1N-4148P-N结的V～T特性进行了实验测定，证明了该P-N结作为低温温度计的可行性．

关键词: P-N结 , 低温 , 温度计

p型ZnO和ZnO同质p-n结的研究进展

许小亮 , 杨晓杰 , 付竹西

功能材料

ZnO基注入式发光二极管和激光器件的研究目前仍处于初级阶段,即p型ZnO和ZnOp-n结的制备与特性研究.由于ZnOO薄膜中存在较强的自补偿机制,使得很难有效地施行p型元素的掺杂.本文介绍了目前国际上通用的掺杂方法,对不同方法制备的p型ZnO和ZnOp-n结的特点进行了比较分析,并讨论了目前生长高质量的突变型ZnOp-n结所面临的问题.

关键词: ZnO , 同质p-n结 , 激光器件

通过（p,n）反应实验数据提取对称能

王洪辕 , 许昌

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.33.01.001

通过分析(p,n)电荷交换反应的微分散射截面数据，得到了核子光学势实部的同位旋矢量项。(p,n)反应的微分散射截面的大小正比于核子光学势实部的同位旋矢量项v1的平方，利用平面波玻恩近似可以直接提取v1的值。再根据HVH理论，利用v1的值能够得到对称能Esym(ρ0)和它的密度依赖斜率L(ρ0)的值。得到的结果Esym(ρ0)=(28.5±2.0) MeV, L(ρ0)=(67.0±5.0) MeV与分析原子核质量和其他核实验数据得到的结果符合较好。

关键词: 对称能 , (p,n)反应 , 光学模型 , 平面波玻恩近似

(n,p)和(n,α)激发函数半经验计算方法

樊胜 , 阎芳 , 张鸿洲 , 赵志祥

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2004.04.037

在En ≤20 MeV的情况下, 忽略了粒子的二次发射过程, 认为复合系统的形成截面是能量相关的, 得到了理论模型清晰、公式形式简单的半经验计算方法. 在靶核23≤A≤209的范围内, 利用大量(n, p) 和(n, α)反应的截面实验数据对可调参数进行了研究, 得到了参数对靶核的N和Z以及入射能量的依赖关系. 对得到的参数做了定性的解释, 利用普适参数对(n, p) 和(n, α)反应的激发函数做了预言, 预言值在其误差范围内与实验数据一致.

关键词: 激发函数 , 半经验计算方法 , 系统学参数

SNOEK-Ke-K■STER PEAK OF INTERNAL FRICTION IN Fe-P-N ALLOYS

Y.Y.Che , G. Y.Zeng , Y. C. Xu and J. W , Ji(College of Science , Northeastern University , Shenyang 110006 , China)

金属学报(英文版)

The internal friction and precipitate phases of the deformed Fe-P-N alloys have been investigated. It has been found that the ratio of depends on the content of P and the relation holds if the content of N is lower than 30wt.ppm and the content of P is lower than 640wt.ppm. It shows that the intercept K2 is related to the presence of the atomic pairs and clusters of P in the alloy matrix.

关键词: internal friction , null

La对Fe-P-N合金Snoek-Ke-K■ster峰的影响

戢景文 , 魏全金 , 张国福 , 赖祖涵 , 陈廷国

金属学报

研究了F? P—N合金加?对Snoek—Ke-Koster(SKK)峰的影响,发现与合金含La,P的原子浓度比(C_(La)/C_p)有关:对于C_(La)/C_p较大(例如4.56和2.6)的合金,La有明显增强SKK阻?效应:对于C_(La)/C_p=0.27的P过饱和合金,La对SKK峰无明显影响。

关键词: 内耗 , Snoek-Ke-Koster peak , Fe-P-La-N alloy

N-X共掺p型ZnO薄膜的研究进展

李万俊 , 孔春阳 , 秦国平 , 阮海波 , 杨天勇 , 梁薇薇 , 孟祥丹 , 赵永红

材料导报

获得高质量稳定的p型ZnO薄膜是实现ZnO基光电器件化的关键.目前,国际上公认V族元素中的N替代O位(No)是实现p型ZnO较理想的掺杂途径.但p-ZnO:N薄膜的导电性能会随着时间、光照、温度条件发生变化,稳定性不足.大量的理论和实验研究表明N基二元共掺( N-X)可以提高N在ZnO薄膜中的固溶度,浅化N的受主能级,且在很大程度上能够改善p型ZnO的导电性能,有利于获得稳定的p型ZnO薄膜.为此,从N基施主受主共掺、双受主共掺以及其它共掺方面综述了N-X共掺p型ZnO薄膜的研究现状.

关键词: p型ZnO薄膜 , N-X共掺 , 稳定性

基于MEMS制作n-ZnO/p-Si异质结及特性

赵晓锋 , 温殿忠

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.06.015

基于MEMS技术在P型<100>晶向双面抛光单晶硅片上制作c型硅杯,在C型硅杯上表面扩散P+,采用磁控溅射法在扩散区上制备择优取向为<0002>晶向的n-ZnO薄膜,形成n-ZnO/P-Si异质结.采用HP4280A型C-V特性测试仪分析n-ZnO/p-Si异质结的C-V特性,该异质结为突变结.采用HP4145B型半导体参数测试仪分析n-ZnO/p-si异质结,I-V特性,结果给出,n-ZnO/p-Si异质结在正向偏压下,电流随外加偏压按指数函数增加,反向电流不饱和,采用突变异质结的正反向势垒能带结构对其,I-V特性进行分析.

关键词: MEMS , 异质结 , 磁控溅射 , ZnO薄膜

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